BAT43, DO-35 ( SOD27 ), 30 v, 0.2A, 0.2A, 4A, 0.2A, DO-35. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (standard JEDEC): -. VRRM: 30 v. Corrente diretta (AV): 0.2A. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.2A. IFSM: 4A. Corrente diretta [A]: 0.2A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione del diodo: indipendente. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.5uA..100uA. Corrente di dispersione inversa: 0.5uA / 25V. Corrente di impulso max.: 4A. Diodo Trr (min.): 5 ns. Do: 7pF. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali. Ifsm [A]: 4A. Informazioni: -. MSL: n/a. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 100uA. RM (min): 0.5uA. RoHS: sì. Serie: BAT4. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di reazione: 5ns. Tempo di recupero inverso (max): 5ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 0.45V. Tensione di soglia Vf (max): 0.46V. Tensione di soglia: 450mV, 0.45V. Tensione diretta (massima): <0.33V / 2mA. Tensione diretta Vf (min): 0.26V. Tensione massima inversa: 30V. Tipo di diodo: Diodo raddrizzatore Schottky. Tipo di montaggio: THT. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.45V @ 15mA. Prodotto originale del produttore: Taiwan Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:18