Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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4N35M

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25 - 49 0.35€ 0.43€
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4N35M. CTR: 40...100 %. Diodo IF: 100mA. Diodo IF Courant (picco): 3A. Potenza diodo: 150mW. Tensione di soglia del diodo: 1.18V. Uscita: uscita a transistor con base. Passo: 7.62mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Passo: 7.56mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 2us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Tr: 2us. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. VECO: 10V. VRRM: 5300V. Numero di terminali: 6. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 13:25.

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CTR: 100 %. Diodo IF: 60mA. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 100mA. Uscita: uscita a transistor con base. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. VRRM: 5300V. Corrente di ingresso nominale (mA): 10mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 10us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 10us. Numero di terminali: 6. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C
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CTR: 100 %. Diodo IF: 60mA. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 100mA. Uscita: uscita a transistor con base. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. VRRM: 5300V. Corrente di ingresso nominale (mA): 10mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 10us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 10us. Numero di terminali: 6. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C
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