30BQ100, 3A, 800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6 mm), 100V

30BQ100, 3A, 800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6 mm), 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.43€
5-49
0.37€
50-99
0.32€
100-199
0.28€
200+
0.22€
Quantità in magazzino: 3490

30BQ100, 3A, 800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6 mm), 100V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC (8,1x6,2x2,6 mm). VRRM: 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Do: 115pF. Marcatura sulla cassa: 3J. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0,96 V. Tensione diretta Vf (min): 0.62V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:18

Documentazione tecnica (PDF)
30BQ100
19 parametri
Corrente diretta (AV)
3A
IFSM
800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms)
Alloggiamento
DO-214
Custodia (secondo scheda tecnica)
SMC (8,1x6,2x2,6 mm)
VRRM
100V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Do
115pF
Marcatura sulla cassa
3J
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (max)
5mA
RM (min)
0.5mA
RoHS
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
0,96 V
Tensione diretta Vf (min)
0.62V
Prodotto originale del produttore
Vishay