1N5819HW-7-F, 1A, 25A, SOD-123, SOD123 ( 2.85x1.7mm ), 40V

1N5819HW-7-F, 1A, 25A, SOD-123, SOD123 ( 2.85x1.7mm ), 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-99
0.0792€
100-199
0.0690€
200-499
0.0626€
500+
0.0522€
Quantità in magazzino: 2701
Min.: 10

1N5819HW-7-F, 1A, 25A, SOD-123, SOD123 ( 2.85x1.7mm ), 40V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 25A. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Do: 50pF. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: SL. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Potenza: 450mW. Quantità per scatola: 1. RM (max): 1.5mA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.32V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:18

Documentazione tecnica (PDF)
1N5819HW-7-F
23 parametri
Corrente diretta (AV)
1A
IFSM
25A
Alloggiamento
SOD-123
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOD123 ( 2.85x1.7mm )
VRRM
40V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Do
50pF
Funzione
Diodo raddrizzatore Schottky
Marcatura sulla cassa
SL
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
2
Potenza
450mW
Quantità per scatola
1
RM (max)
1.5mA
RM (min)
10uA
RoHS
Spec info
IFSM--25Ap, t=8.3ms
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+125°C
Tensione di soglia Vf (max)
0.75V
Tensione diretta Vf (min)
0.32V
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc
Quantità minima
10