1N5819HW-7-F
| Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 1.17€ | 1.43€ |
| 2 - 2 | 1.11€ | 1.35€ |
| 3 - 4 | 1.05€ | 1.28€ |
| 5 - 9 | 1.00€ | 1.22€ |
| 10 - 24 | 0.94€ | 1.15€ |
| 25 - 49 | 0.88€ | 1.07€ |
| 50 - 288 | 0.75€ | 0.92€ |
| Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 1.17€ | 1.43€ |
| 2 - 2 | 1.11€ | 1.35€ |
| 3 - 4 | 1.05€ | 1.28€ |
| 5 - 9 | 1.00€ | 1.22€ |
| 10 - 24 | 0.94€ | 1.15€ |
| 25 - 49 | 0.88€ | 1.07€ |
| 50 - 288 | 0.75€ | 0.92€ |
1N5819HW-7-F. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 25A. RM (max): 1.5mA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: SL. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 450mW. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.32V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.
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