1N5408, DO-27, 1000V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm )

1N5408, DO-27, 1000V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm )

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0896€
50-99
0.0771€
100-199
0.0670€
200+
0.0560€
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1N5408, DO-27, 1000V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Alloggiamento: DO-27. Custodia (standard JEDEC): -. VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 3A. Corrente raddrizzata media per diodo: 3A. IFSM: 200A. Corrente diretta [A]: 3A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: Ammo Pack. Configurazione del diodo: indipendente. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 10uA. Corrente di impulso max.: 200A. Diodo Trr (min.): 5us. Do: 40pF. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Guida corrente: 3A. Ifsm [A]: 200A. Informazioni: -. MSL: -. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Serie: 1N54. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.1V. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione di soglia: 1.2V, 1.1V. Tensione diretta (massima): <1.0V / 3A. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Tensione massima inversa: 1kV, 1000V. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Tipo di montaggio: THT. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A. Prodotto originale del produttore: Dc Components Co. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 14:24

Documentazione tecnica (PDF)
1N5408
44 parametri
Alloggiamento
DO-27
VRRM
1000V
Corrente diretta (AV)
3A
Corrente raddrizzata media per diodo
3A
IFSM
200A
Corrente diretta [A]
3A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-27 ( 9.2x5.2mm )
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
Ammo Pack
Configurazione del diodo
indipendente
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
10uA
Corrente di impulso max.
200A
Diodo Trr (min.)
5us
Do
40pF
Famiglia di componenti
diodo raddrizzatore standard
Guida corrente
3A
Ifsm [A]
200A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (max)
500uA
RM (min)
5uA
RoHS
Serie
1N54
Spec info
IFSM--200Ap t=8.3ms
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di recupero inverso (max)
1500ns
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
1 kV
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1.1V
Tensione di soglia Vf (max)
1.1V
Tensione di soglia
1.2V, 1.1V
Tensione diretta (massima)
<1.0V / 3A
Tensione diretta Vf (min)
1.1V
Tensione massima inversa
1kV, 1000V
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Tipo di montaggio
THT
[V]
1.2V @ 3A
Prodotto originale del produttore
Dc Components Co
Quantità minima
10

Prodotti e/o accessori equivalenti per 1N5408