1N5402, DO-27, 200V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Alloggiamento: DO-27. Custodia (standard JEDEC): -. VRRM: 200V. Corrente diretta (AV): 3A. Corrente raddrizzata media per diodo: 3A. IFSM: 200A. Corrente diretta [A]: 3A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: Ammo Pack. Configurazione del diodo: indipendente. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 10uA. Corrente di dispersione inversa: <5uA / 200V. Corrente di impulso max.: 200A. Diodo Trr (min.): 5us. Do: 40pF. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Guida corrente: 3A. Ifsm [A]: 200A. Informazioni: -. MSL: -. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Serie: 1N54. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 200V. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.1V. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione di soglia: 1.2V, 1.1V. Tensione diretta (massima): <1.2V / 3A. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Tensione massima inversa: 200V. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Tipo di montaggio: THT. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A. Prodotto originale del produttore: Dc Components Co. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 14:24