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1N5381B

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1N5381B. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201. Tolleranza: 5%. Tensione Zener: 130V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 20:25.