1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Corrente diretta (AV): 0.15A. Custodia (standard JEDEC): -. IFSM: 0.45A. Corrente diretta [A]: 0.3A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..5uA. Diodo Trr (min.): 4 ns. Do: 4pF. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Ifsm [A]: 2A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RM (max): 5uA. RM (min): 25nA. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.7V @ 5mA. Prodotto originale del produttore: Taiwan Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 14/12/2025, 01:04