Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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ZY9-1

ZY9-1
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1 - 2 0.66€ 0.81€
3 - 4 0.62€ 0.76€
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ZY9-1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Tensione Zener: 9.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): 5W. Confi...
1N5346B
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): 5W. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 9.1V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 5W (75°C), 5%, serie 1N53
1N5346B
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): 5W. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 9.1V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 5W (75°C), 5%, serie 1N53
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BZV85C9V1

BZV85C9V1

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Nu...
BZV85C9V1
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 2.6x4.8mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione Zener: 9.1V
BZV85C9V1
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 2.6x4.8mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione Zener: 9.1V
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Materiale del rivestimento dei contatti: contatti stagnati. Corrente continua massima: 3A. RoHS: sÃ...
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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1N4448

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PC...
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FUSE-6-300A32F

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Corrente continua massima: 6.3A. Voltaggio: 250V. Dimensioni: 6.3x32mm. RoHS: sì...
FUSE-6-300A32F
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Corrente del collettore: 0...
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Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Fu...
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Quantità in magazzino : 4
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Tipo di connettore: bronzo fosforoso, nichelato. Nota: Prototipazione senza saldatura. Dimensioni: 2...
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