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TVS512

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P6KE12A

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Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Tensione di rottura: 12V. ...
P6KE12A
Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Tensione di rottura: 12V. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO15 (3.5x6.5mm). Ubr [V] @ Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Numero di terminali: 2. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Funzione: diodo transitorio, protezione da sovratensione
P6KE12A
Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Tensione di rottura: 12V. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO15 (3.5x6.5mm). Ubr [V] @ Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Numero di terminali: 2. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Funzione: diodo transitorio, protezione da sovratensione
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Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. ...
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Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 12V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolleranza: 5%. Tensione Zener: 12V
BZT03C12
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 12V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolleranza: 5%. Tensione Zener: 12V
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