Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor IGBT

Transistor IGBT HGTG20N60A4

Transistor IGBT HGTG20N60A4
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2 - 2 13.00€ 15.86€
3 - 4 12.73€ 15.53€
5 - 9 12.31€ 15.02€
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15 - 19 11.63€ 14.19€
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Transistor IGBT HGTG20N60A4. Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60A4. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Corrente massima del collettore (A): 280A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 73 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 290W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 02:25.

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HGTG30N60A4

HGTG30N60A4

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. C...
HGTG30N60A4
Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: SMPS Series IGBT. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: G30N60A4. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V
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Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: SMPS Series IGBT. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: G30N60A4. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 463W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V
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IRG4PC40K

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IRG4PC40K
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IRG4PC40K
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Transistor a canale N, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custo...
IHW20T120
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