LF356N

LF356N

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.75€
5-24
1.50€
25-49
1.28€
50-99
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100+
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LF356N. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Consumo di corrente [mA]: 5mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Custodia (standard JEDEC): -. Famiglia di componenti: amplificatore operazionale. Funzione: Amplificatore operazionale JFET. Larghezza di banda [MHz]: 5 MHz. Larghezza di banda: 5MHz. Marcatura sulla cassa: LF356N. Numero di canali: 1. Numero di circuiti: 1. Numero di terminali: 8:1. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Spec info: amplificatore operazionale. Tasso di aumento della tensione: 12V/us. Tecnologia: JFET. Temperatura di funzionamento: 0...70°C. Temperatura massima: +70°C. Tensione di alimentazione: 10...36VDC. Tensione operativa: 10...36V. Tipo di circuiti: amplificatore operazionale, per uso generale. Tipo di circuito integrato: amplificatore operazionale. Velocità di risposta [V/us]: 12V/us. [V]: -. Prodotto originale del produttore: National Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:48

Documentazione tecnica (PDF)
LF356N
26 parametri
Alloggiamento
DIP
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Consumo di corrente [mA]
5mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP-8
Famiglia di componenti
amplificatore operazionale
Funzione
Amplificatore operazionale JFET
Larghezza di banda [MHz]
5 MHz
Larghezza di banda
5MHz
Marcatura sulla cassa
LF356N
Numero di canali
1
Numero di circuiti
1
Numero di terminali
8:1
Numero di terminali
8:1
RoHS
Spec info
amplificatore operazionale
Tasso di aumento della tensione
12V/us
Tecnologia
JFET
Temperatura di funzionamento
0...70°C
Temperatura massima
+70°C
Tensione di alimentazione
10...36VDC
Tensione operativa
10...36V
Tipo di circuiti
amplificatore operazionale, per uso generale
Tipo di circuito integrato
amplificatore operazionale
Velocità di risposta [V/us]
12V/us
Prodotto originale del produttore
National Semiconductor