IL207AT
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.51€
5-24
0.44€
25-49
0.41€
50-99
0.38€
100+
0.35€
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IL207AT. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). CTR: 100...200 %. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Diodo IF: 60mA. Funzione: Uscita fototransistor, con connessione di base. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Potenza diodo: 90mW. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tf (tipo): 3us. Uscita: uscita a transistor con base. VECO: 7V. VRRM: 4000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 24/11/2025, 10:27
IL207AT
23 parametri
Alloggiamento
SO
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
CTR
100...200 %
Corrente del collettore
50mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Diodo IF
60mA
Funzione
Uscita fototransistor, con connessione di base
Ic(impulso)
100mA
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150mW
Potenza diodo
90mW
RoHS
sì
Temperatura di funzionamento
-55...+100°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.4V
Tensione di soglia del diodo
1.3V
Tf (tipo)
3us
Uscita
uscita a transistor con base
VECO
7V
VRRM
4000V
Vcbo
70V
Vebo
7V
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
70V
Prodotto originale del produttore
Vishay