EL817-C
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.27€ | 0.33€ |
| 10 - 24 | 0.26€ | 0.32€ |
| 25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
| 50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
| 100 - 130 | 0.22€ | 0.27€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.27€ | 0.33€ |
| 10 - 24 | 0.26€ | 0.32€ |
| 25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
| 50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
| 100 - 130 | 0.22€ | 0.27€ |
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EL817-C. CTR: 200...400 %. Diodo IF: 60mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di soglia del diodo: 1.2...1.4V. FT: 18us. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Passo: 7.62mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 18us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 16:25.
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CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di sog...
CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Passo: 7.62mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Spec info: Vceo 80V
CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Passo: 7.62mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Spec info: Vceo 80V
LTV817C
CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente ...
CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. VECO: 6V. Vrm: 5000V
CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. VECO: 6V. Vrm: 5000V
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