CNY75GB

CNY75GB

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.58€
5-24
0.49€
25-49
0.44€
50-99
0.40€
100+
0.33€
Quantità in magazzino: 68

CNY75GB. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. CTR: 100...200 %. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Diodo IF Courant (picco): 3A. Diodo IF: 60mA. Funzione: Uscita fototransistor, con connessione di base. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 6. Passo: 10.16mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70mW. Potenza diodo: 70mW. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione di soglia del diodo: 1.25V. Tf (tipo): 4.7us. Tr: 4.2us. Uscita: uscita a transistor con base. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 00:30

Documentazione tecnica (PDF)
CNY75GB
25 parametri
Alloggiamento
DIP
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
CTR
100...200 %
Corrente del collettore
50mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP-6
Diodo IF Courant (picco)
3A
Diodo IF
60mA
Funzione
Uscita fototransistor, con connessione di base
Ic(impulso)
100mA
Numero di terminali
6
Passo
10.16mm
Pd (dissipazione di potenza, massima)
70mW
Potenza diodo
70mW
RoHS
Temperatura di funzionamento
-55...+110°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tensione di soglia del diodo
1.25V
Tf (tipo)
4.7us
Tr
4.2us
Uscita
uscita a transistor con base
VECO
7V
VRRM
6000V
Vcbo
70V
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
70V
Prodotto originale del produttore
Vishay