CNY75GB

CNY75GB. CTR: 100...200 %. Diodo IF: 60mA. Diodo IF Courant (picco): 3A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.25V. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Uscita: uscita a transistor con base. Passo: 2.54mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70mW. RoHS: sì. Passo: 10.16mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 4.7us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura di funzionamento: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Numero di terminali: 6. Funzione: Uscita fototransistor, con connessione di base. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 16:25.