Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.25€ | 0.31€ |
10 - 24 | 0.24€ | 0.29€ |
25 - 49 | 0.23€ | 0.28€ |
50 - 99 | 0.22€ | 0.27€ |
100 - 249 | 0.16€ | 0.20€ |
250 - 499 | 0.15€ | 0.18€ |
500 - 8326 | 0.15€ | 0.18€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.25€ | 0.31€ |
10 - 24 | 0.24€ | 0.29€ |
25 - 49 | 0.23€ | 0.28€ |
50 - 99 | 0.22€ | 0.27€ |
100 - 249 | 0.16€ | 0.20€ |
250 - 499 | 0.15€ | 0.18€ |
500 - 8326 | 0.15€ | 0.18€ |
BZW06-26B. Struttura dielettrica: bidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: protezione da sovratensione, diodo protettivo bidirezionale. Tensione di rottura: 25.6V 1uA, 28.5V 1mA, clamping 41.5V 14.5A, 53.5V 75A. RoHS: sì. Spec info: 600W / 1ms, VRM 25.6V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Potenza: 1.7 W (600W Peak Pulse TA=25°C, Tp=1ms). Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 (6.3x3mm). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -60...+175°C. Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 01:25.
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