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BZT03C10

BZT03C10
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5 - 9 1.27€ 1.55€
10 - 24 1.23€ 1.50€
25 - 49 1.21€ 1.48€
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BZT03C10. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. RM (max): 10uA. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 10V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione Zener: 10V. Prodotto originale del produttore Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 00:25.

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P6KE10A

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Alloggiamento: DO-15. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funz...
P6KE10A
Alloggiamento: DO-15. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo transitorio, protezione da sovratensione. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 10V. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO15 (3.5x6.5mm)
P6KE10A
Alloggiamento: DO-15. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo transitorio, protezione da sovratensione. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 10V. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO15 (3.5x6.5mm)
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BZW06-376B

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BZW06-376B
[LONGDESCRIPTION]
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IRFP450

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Transistor a canale N, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.7A. ID (...
IRFP450
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3.90€ IVA incl.
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3.90€
Quantità in magazzino : 3732
1N4004

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Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
1N4004
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0.0438€
Quantità in magazzino : 42
RF2001T3D

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Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): ...
RF2001T3D
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