4N33M

4N33M. CTR: 500 %. Diodo IF: 80mA. Diodo IF Courant (picco): 3A. Potenza diodo: 150mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: Uscita a transistor Darlington. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Numero di terminali: 6. Funzione: Uscita fototransistor, con connessione di base. Spec info: ton 5us, toff 100us. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 13:25.