4N33M. Alloggiamento: DIP. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. CTR: 500 %. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Diodo IF Courant (picco): 3A. Diodo IF: 80mA. Funzione: Uscita fototransistor, con connessione di base. Guadagno hFE minimo: 5000. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Potenza diodo: 150mW. RoHS: sì. Spec info: ton 5us, toff 100us. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Uscita: Uscita a transistor Darlington. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Vcbo: 100V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 00:30