Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.46€ | 0.56€ |
10 - 24 | 0.44€ | 0.54€ |
25 - 49 | 0.42€ | 0.51€ |
50 - 99 | 0.39€ | 0.48€ |
100 - 139 | 0.39€ | 0.48€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 9 | 0.46€ | 0.56€ |
10 - 24 | 0.44€ | 0.54€ |
25 - 49 | 0.42€ | 0.51€ |
50 - 99 | 0.39€ | 0.48€ |
100 - 139 | 0.39€ | 0.48€ |
4N28. CTR: 10...30 %. Diodo IF: 60mA. Diodo IF Courant (picco): 3A. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Uscita: uscita a transistor con base. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 2us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 7V. VECO: 7V. Vrm: 5000V. Numero di terminali: 6. Nota: Iceo 10nA. Funzione: Uscita fototransistor, con connessione di base. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 13:25.
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